Tranzystory bipolarne
/_grupy/184.jpg
Tranzystory MOS, FET
/_grupy/185.jpg
Ilość pozycji na stronie    Pozycje 201 do 213 z 213 <  1  2  3  4  5  6  7  8  9  
Oznaczenie producenta
Producent
Indeks Ropla
Info Dostępność Cena netto MOQ
Krotność
201
nowość
/_obudowy/sot-23.jpg 2318B
Akyga semi
Tranzystor N-Ch.MOSFET 40V/5A; 1,6W  
0 szt.
 w magazynie

0,0845000 zł.  3000
3000
AKS1355 Obudowa: SOT-23 Temperatura: -55/+150°C /_certyfikaty/aks/ce.pdf towar zgodny z dyrektywą RoHS
202 /_obudowy/sot-23.jpg MTA025P01SN3-0-T1-G
Cystech Electronics Corp.
Tranzystor P-Ch.MOSFET 14V/5,2A 1,4W  
0 szt.
 w magazynie


na specjalne zamówienie
0,2878000 zł.  3000
3000
CST0001 Obudowa: SOT-23 Temperatura: -55/+150°C /_certyfikaty/aks/ce.pdf /cst/mta025p01sn3.pdf towar zgodny z dyrektywą RoHS
203 /_obudowy/to-251.png HMM02N60
HY Electronic
Tranzystor N-Ch.MOSFET 600V/2A; 52W  
0 szt.
 w magazynie


na specjalne zamówienie
0,5398000 zł.  800
80
HYE1098 Obudowa: TO-251 Temperatura: -55/+150°C /_certyfikaty/hy/hy_ul.pdf /hye/hmm02n60_hmn02n60.pdf towar zgodny z dyrektywą RoHS
204 /_obudowy/to-252.jpg HMN02N60
HY Electronic
Tranzystor N-Ch.MOSFET 600V/2A; 52W  
0 szt.
 w magazynie


na specjalne zamówienie
0,5812000 zł.  800
80
HYE1099 Obudowa: TO-252 Temperatura: -55/+150°C /_certyfikaty/hy/hy_ul.pdf /hye/hmm02n60_hmn02n60.pdf towar zgodny z dyrektywą RoHS
205 /_obudowy/to-220ab.jpg HMR05N60
HY Electronic
Tranzystor N-Ch.MOSFET 600V/5A; 21,2W  
0 szt.
 w magazynie


na specjalne zamówienie
1,0794000 zł.  1000
50
HYE1100 Obudowa: TO-220AB Temperatura: -55/+150°C /_certyfikaty/hy/hy_ul.pdf /hye/hmr05n60_hmf05n60.pdf towar zgodny z dyrektywą RoHS
206 /_obudowy/to-220f.png HMF05N60
HY Electronic
Tranzystor N-Ch.MOSFET 600V/5A; 21,2W  
0 szt.
 w magazynie


na specjalne zamówienie
1,1210000 zł.  1000
50
HYE1101 Obudowa: TO-220F Temperatura: -55/+150°C /_certyfikaty/hy/hy_ul.pdf /hye/hmr05n60_hmf05n60.pdf towar zgodny z dyrektywą RoHS
207 /_obudowy/to-220ab.jpg HMR07N60
HY Electronic
Tranzystor N-Ch.MOSFET 600V/7A; 23,1W  
0 szt.
 w magazynie


na specjalne zamówienie
1,3700000 zł.  1000
50
HYE1102 Obudowa: TO-220AB Temperatura: -55/+150°C /_certyfikaty/hy/hy_ul.pdf /hye/hmr07n60_hmf07n60.pdf towar zgodny z dyrektywą RoHS
208 /_obudowy/to-220f.png HMF07N60
HY Electronic
Tranzystor N-Ch.MOSFET 600V/7A; 23,1W  
0 szt.
 w magazynie


na specjalne zamówienie
1,4114000 zł.  1000
50
HYE1103 Obudowa: TO-220F Temperatura: -55/+150°C /_certyfikaty/hy/hy_ul.pdf /hye/hmr07n60_hmf07n60.pdf towar zgodny z dyrektywą RoHS
209 /_obudowy/sot-23.jpg LBSS123LT1G
LRC
Tranzystor N-Ch.MOSFET 100V/170mA; 225mW  
0 szt.
 w magazynie


na specjalne zamówienie
0,0888000 zł.  30000
3000
LRC0017 Obudowa: SOT-23 Temperatura: -55/+150°C /lrc/lbss123lt1g.pdf towar zgodny z dyrektywą RoHS
210 /_obudowy/sot-23.jpg LBSS138LT1G
LRC
Tranzystor N-Ch.MOSFET 50V/200mA; 225mW  
0 szt.
 w magazynie


na specjalne zamówienie
0,0718000 zł.  30000
3000
LRC0022 Obudowa: SOT-23 Temperatura: -55/+150°C /lrc/lbss138lt1g.pdf towar zgodny z dyrektywą RoHS
211 /_obudowy/sot-23.jpg LBSS84LT1G
LRC
Tranzystor P-Ch.MOSFET 50V/130mA; 225mW  
0 szt.
 w magazynie

  3000
3000
LRC0336 Obudowa: SOT-23 Temperatura: -55/+150°C /lrc/lbss84lt1g.pdf towar zgodny z dyrektywą RoHS
212 2SD1980TL
ROHM Co., Ltd.
Tranzystor Darlingtona NPN  
0 szt.
 w magazynie


na specjalne zamówienie
wycofany z produkcji
  2500
2500
RSM0001 Obudowa: TO-252-3 Temperatura: -55/+150°C /rsm/2sd1980.pdf towar zgodny z dyrektywą RoHS
213 /_obudowy/soic-8.jpg
Taiwan Semiconductor
Tranzystor P-Ch.MOSFET 30V/10A  
0 szt.
 w magazynie


na specjalne zamówienie
  300
300
TSM0001 Obudowa: SOP-8 Temperatura: -55/+150°C /tsm/tsm180p03csrlg.pdf towar zgodny z dyrektywą RoHS
Ilość pozycji na stronie    Pozycje 201 do 213 z 213 <  1  2  3  4  5  6  7  8  9  
Ten serwis wykorzystuje pliki cookies. Korzystanie z witryny oznacza zgodę na ich zapis lub odczyt wg ustawień przeglądarki. Zamknij