Ropla

Półprzewodniki » Układy scalone pozostałe

Ilość pozycji na stronie Pozycje 526 do 550 z 615 << -10 < 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 >

Oznaczenie producenta Producent Indeks Ropla		Info	Dostępność	MOQ Krotność
526	M5K4164ANP-15 Mitsubishi	Pamięć DRAM 64kb /64kx1bit/	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
526	MEC0003	Obudowa: PDIP-16 Temperatura: 0/+70°C	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
527	HY514100J-70 Hyundai	Pamięć DRAM 4Mb /4Mx1bit/	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
527	HYN0001	Obudowa: SOJ-20 Temperatura: 0/+70°C	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
528	MB814400A-70 Fujitsu	Pamięć DRAM 4Mb /1Mx4bit/	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
528	FUJ0008	Obudowa: ZIP-20 Temperatura: 0/+70°C	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
529	HM514400CLS7 Hitachi	Pamięć DRAM 4Mb /1Mx4bit/	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
529	HIT0012	Obudowa: SOJ-26 Temperatura: 0/+70°C	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
530	TMS44400DJ Texas Instruments	Pamięć DRAM 4Mb /1Mx4bit/	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
530	TI0240	Obudowa: SOJ-26 Temperatura: 0/+70°C	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
531	TMM4164P-2 Texas Instruments	Pamięć DRAM 4kb /4kx1bit/	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
531	TI0201	Obudowa: PDIP-16 Temperatura: N/A	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
532	MB81461-12-SL Fujitsu	Pamięć DRAM 256kb /64kx4bit/	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
532	FJS0075	Obudowa: PDIP-24 Temperatura: 0/+70°C	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
533	HY53C464LS-10 Hyundai	Pamięć DRAM 256kb /64kx4bit/	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
533	HYN0003	Obudowa: PDIP-18 Temperatura: 0/+70°C	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
534	uPD41256L-80 NEC	Pamięć DRAM 256kb /256kx1bit/ NMOS	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
534	NEC0004	Obudowa: PLCC-18 Temperatura: 0/+70°C	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
535	MN41256AL-08 Mitsubishi	Pamięć DRAM 256kb /256kx1bit/	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie wycofany z produkcji	1 0
535	MEC0005	Obudowa: ZIP-16 Temperatura: 0/+70°C		1 0
536	TMS4256-12NL Texas Instruments	Pamięć DRAM 256kb /256kx1bit/	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
536	TI0237	Obudowa: PDIP-16 Temperatura: 0/+70°C	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
537	MB81256-10PSZ Fujitsu	Pamięć DRAM 256kb	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
537	FUJ0007	Obudowa: ZIP-16 Temperatura: 0/+70°C	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
538	TC514256AJ80 Toshiba	Pamięć DRAM 1Mb /256kx4bit/ CMOS	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
538	TOS0003	Obudowa: PLCC-20 Temperatura: N/A	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
539	MB81C4256A-60P Fujitsu	Pamięć DRAM 1Mb /256kx4bit/	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
539	FUJ0003	Obudowa: PDIP-20 Temperatura: 0/+70°C	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
540	MB81C4256-10PSZ Fujitsu	Pamięć DRAM 1Mb /256kx4bit/	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
540	FUJ0004	Obudowa: ZIP-20 Temperatura: 0/+70°C	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
541	TMS44C256-12N Texas Instruments	Pamięć DRAM 1Mb /256kx4bit/	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
541	TI0239	Obudowa: PDIP-20 Temperatura: N/A	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
542	DRAM1MX9-08S Micron	Pamięć DRAM 1Mb /1Mx9bit/ 80ns	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
542	MIC0001	Obudowa: SIP Temperatura: N/A	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
543	uPD421000V-60 NEC	Pamięć DRAM 1Mb /1Mx1bit/ CMOS	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
543	NEC0005	Obudowa: ZIP-20 Temperatura: N/A	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
544	MB81C1000-10P Fujitsu	Pamięć DRAM 1Mb /1Mx1bit/	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
544	FUJ0002	Obudowa: PDIP-18 Temperatura: 0/+70°C	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
545	MB811000-15 Fujitsu	Pamięć DRAM 1Mb /1Mx1bit/	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
545	FUJ0006	Obudowa: PDIP-18 Temperatura: 0/+70°C	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
546	TMS4C1024-12N Texas Instruments	Pamięć DRAM 1Mb	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
546	TI0235	Obudowa: PDIP-18 Temperatura: 0/+70°C	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
547	TC5116400BSJ-60 Toshiba	Pamięć DRAM 16Mb /4Mx4bit/ CMOS	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
547	TOS0002	Obudowa: SOJ-28 Temperatura: 0/+70°C	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
548	HM5117400AS7 Hitachi	Pamięć DRAM 16Mb /4Mx4bit/	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
548	HIT0010	Obudowa: SOJ-26 Temperatura: 0/+70°C	0 szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
549	HM5117400TS-6 Hitachi	Pamięć DRAM 16Mb /4Mx4bit/	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
549	HIT0011	Obudowa: TSOP-26 Temperatura: 0/+70°C	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
550	MD908-SJ5-100 Monolithic Sys. Technol. Inc. - MoSys	Pamięć DRAM /256kx32bit/	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0
550	MOS0001	Obudowa: PLCC-68 Temperatura: N/A	szt. w magazynie na specjalne zamówienie	1 0

Ilość pozycji na stronie Pozycje 526 do 550 z 615 << -10 < 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 >

Dystrybucje:

Strona główna | Firma | Oferta | Magazyn | Kontakt

Ropla Elektronik sp. z o.o., ul. Wrocławska 1C, 52-200 Suchy Dwór, Polska, NIP: 899-00-22-570, Regon 930272589
Sąd Rejonowy dla Wrocławia-Fabrycznej VI Wydział Gospodarczy, KRS: 0000060925 Kapitał zakładowy 676 500 zł.

Projekt compunet Polska, realizacja WRO-COM

array(5) { ["start"]=> string(1) "T" ["ip"]=> string(12) "3.128.170.93" ["z"]=> int(0) ["l"]=> string(2) "pl" ["uri"]=> string(35) "/pl/ssl/magazyn/?g=195&pp=22&so=-S4" }