MOS, FET Transistors
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Unipolar & BipolarTransistors
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Herstellerkennzeichnung
Hersteller
Index Ropla 		Info Lagervorrat Nettopreis MOQ
Multiple
176 /_obudowy/to-92.jpg BC212
Motorola 		PNP Silicon Amplifier Transistor  
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MOT0036 Gehäuse: TO-92 Temperatur: -55/+150°C /mot/bc21(2_2b_3-4).pdf Ware entspricht nicht der RoHS-Richtlinie
177 /_obudowy/to-92.jpg BC213
Motorola 		PNP Silicon Amplifier Transistor  
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0
MOT0037 Gehäuse: TO-92 Temperatur: -55/+150°C /mot/bc21(2_2b_3-4).pdf Ware entspricht nicht der RoHS-Richtlinie
178 /_obudowy/to-92.jpg BC327-16
Motorola 		PNP Silicon Amplifier Transistor  
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MOT0040 Gehäuse: TO-92 Temperatur: -55/+150°C /mot/bc3(27_28)(16_25).pdf Ware entspricht nicht der RoHS-Richtlinie
179 /_obudowy/sot-223.jpg BCP69T1
Motorola 		PNP Silicon Epitaxial Transistor  
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0
MOT0046 Gehäuse: SOT-223 Temperatur: -65/+150°C /ons/bcp69t1.pdf Ware entspricht nicht der RoHS-Richtlinie
180 /_obudowy/to-92.jpg BC490
Motorola 		PNP Silicon High Current Transistor  
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0
MOT0042 Gehäuse: TO-92 Temperatur: -55/+150°C /mot/bc490_490a.pdf Ware entspricht nicht der RoHS-Richtlinie
181 /_obudowy/to-92.jpg ZTX551M1
Zetex 		PNP Silicon Planar Medium Power Transistor  
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ZTX0007 Gehäuse: TO-92 Temperatur: -55/+200°C /ztx/ztx55(0_1).pdf Ware entspricht nicht der RoHS-Richtlinie
182 /_obudowy/to-126.jpg 2N4919
Motorola 		PNP Silicon Transistor  
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0
MOT0012 Gehäuse: TO-126 Temperatur: -65/+150°C /ons/2n4919.pdf Ware entspricht nicht der RoHS-Richtlinie
183 /_obudowy/to-225aa.jpg 2N4920
Motorola 		PNP Silicon Transistor  
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MOT0013 Gehäuse: TO-225AA Temperatur: -65/+150°C /ons/2n4920.pdf Ware entspricht nicht der RoHS-Richtlinie
184 /_obudowy/sot-23.jpg SMBTA93E-6327
Siemens 		PNP Silicon Transistors for High Voltages  
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SIE0060 Gehäuse: SOT-23 Temperatur: -65/+150°C /sie/smbta9(2_3).pdf Ware entspricht nicht der RoHS-Richtlinie
185 /_obudowy/to-92.jpg BC327
National Semiconductor 		PNP Small Signal Transistor  
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NSC0032 Gehäuse: TO-92 Temperatur: -55/+150°C /fsc/bc327_328.pdf Ware entspricht nicht der RoHS-Richtlinie
186 /_obudowy/to-220ab.jpg TIP29B
STMicroelectronics 		Power Bipolar Transistor  
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STM0215 Gehäuse: TO-220AB Temperatur: -65/+150°C /stm/2n_bd_mje_tip.pdf /mot/tip29(b_c)_30(b_c).pdf Ware entspricht nicht der RoHS-Richtlinie
187 /_obudowy/to-220ab.jpg BUK454-500B
Philips 		Power MOS Transistor  
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PHI0012 Gehäuse: TO-220AB Temperatur: -55/+150°C /phi/buk454-500(a_b).pdf Ware entspricht nicht der RoHS-Richtlinie
188 /_obudowy/to-220ab.jpg SGSP301
STMicroelectronics 		Power MOS Transistor  
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STM0157 Gehäuse: TO-220AB Temperatur: N/A /stm/power_mos.pdf
189 /_obudowy/to-218.jpg STHV102
STMicroelectronics 		Power MOS Transistor  
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STM0189 Gehäuse: TO-218 Temperatur: N/A /stm/tv_monitors_vcrcircuits.pdf Ware entspricht nicht der RoHS-Richtlinie
190 /_obudowy/to-247ac.jpg IRFP430
Samsung 		Power MOSFET  
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0
SAM0102 Gehäuse: TO-247AC Temperatur: -55/+150°C /sam/irfp(430-433).pdf Ware entspricht nicht der RoHS-Richtlinie
191 /_obudowy/to-3p.jpg IRF9132
International Rectifier 		Power Mosfet 100V/10A; 88W  
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IRF0004 Gehäuse: TO-3P Temperatur: -55/+150°C /irf/irf_to-3.pdf Ware entspricht nicht der RoHS-Richtlinie
192 /_obudowy/sot-23.jpg LBSS123LT1G
LRC 		Power N-MOSFET transistor 100V/0.17A; 225mW  
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by special order 		 0,1006570 PLN   30000
3000
LRC0017 Gehäuse: SOT-23 Temperatur: -55/+150°C /lrc/lbss123lt1g.pdf Ware entspricht der RoHS-Richtlinie
193 /_obudowy/sot-23.jpg BSS123
Akyga semi 		Power N-MOSFET transistor 100V/170mA; 350mW  
 pcs
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 0,0858700 PLN   3000
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AKS0026 Gehäuse: SOT-23 Temperatur: -55/+150°C /_certyfikaty/aks/ce.pdf /aks/tkbss123.pdf Ware entspricht der RoHS-Richtlinie
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Akyga semi 		Power N-MOSFET transistor 100V/170mA; 360mW  
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24.090 pcs
28.000 pcs
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 from 2024-10-18

 0,0949200 PLN    3000
3000
AKS0509 Gehäuse: SOT-23 Temperatur: -55/+150°C /_certyfikaty/aks/ce.pdf /aks/bss123.pdf Ware entspricht der RoHS-Richtlinie
194 /_obudowy/sot-23.jpg BSS123
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 from 2024-10-18

 0,0949200 PLN    3000
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AKS0509 Gehäuse: SOT-23 Temperatur: -55/+150°C /_certyfikaty/aks/ce.pdf /aks/bss123.pdf Ware entspricht der RoHS-Richtlinie
195 GT1003D
Akyga semi 		Power N-MOSFET transistor 100V/3.0A; 2.0W  
0 pcs
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 0,2901200 PLN   3000
3000
AKS0159 Gehäuse: SOT-23-3 Temperatur: -55/+150°C /_certyfikaty/aks/ce.pdf /aks/gt1003d.pdf Ware entspricht der RoHS-Richtlinie
196 /_obudowy/sot-23.jpg AKS03N10C
Akyga semi 		Power N-MOSFET transistor 100V/3.0A; 350mW  
0 pcs
 on stock

 0,2524000 PLN   3000
3000
AKS0157 Gehäuse: SOT-23 Temperatur: -55/+150°C /_certyfikaty/aks/ce.pdf /aks/aks03n10c.pdf Ware entspricht der RoHS-Richtlinie
197 AKS016N10TH-TL
Akyga semi 		Power N-MOSFET transistor 100V/33A; 300W  
0 pcs
 on stock

 11,3356800 PLN   2000
2000
AKS0175 Gehäuse: TOLL Temperatur: -55/+175°C /_certyfikaty/aks/ce.pdf /aks/aks016n10th-tl.pdf Ware entspricht der RoHS-Richtlinie
198 /_obudowy/sot-23.jpg AKS-2300
Akyga semi 		Power N-MOSFET transistor 20V/6.2A; 1.56W  
2.980 pcs
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 0,2066400 PLN    3000
3000
AKS0506 Gehäuse: SOT-23 Temperatur: -50/+150°C /_certyfikaty/aks/ce.pdf /aks/aks2300.pdf Ware entspricht der RoHS-Richtlinie
199 /_obudowy/dfn-2020-6.jpg AKS2312DF1
Akyga semi 		Power N-MOSFET transistor 20V/9.5A; 2.4W  
0 pcs
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 0,4782200 PLN   3000
3000
AKS0127 Gehäuse: DFN-2020-6L Temperatur: -55/+150°C /_certyfikaty/aks/ce.pdf /aks/aks2312df1.pdf Ware entspricht der RoHS-Richtlinie
200 /_obudowy/sot-23.jpg CDM301N
Akyga semi 		Power N-MOSFET transistor 25V/220mA; 350mW  
0 pcs
 on stock

 0,1635600 PLN   3000
3000
AKS0108 Gehäuse: SOT-23 Temperatur: -55/+150°C /_certyfikaty/aks/ce.pdf /aks/cdm301n.pdf Ware entspricht der RoHS-Richtlinie
Resultate pro Seite    Positionen 176 bis 200 aus 250 <  1  2  3  4  5  6  7  8  9  10    >